Początek produkcji pamięci zmiennofazowych
22 września 2009, 13:45Samsung rozpoczął produkcję zmiennofazowych pamięci RAM (PRAM). Układy o pojemności 512 megabitów przeznaczone są dla telefonów komórkowych i innych niewielkich urządzeń zasilanych bateriami.
Litograficzne problemy
21 września 2009, 08:47Przemysłowi półprzewodnikowemu doszedł kolejny problem związany z koniecznością przełamywania kolejnych barier w miarę zmniejszania się poszczególnych elementów umieszczanych na krzemie. Tym razem nie chodzi o kłopoty związane z właściwościami materiałów czy odpowiednimi technikami produkcyjnymi.
Globalfoundries ma nowego klienta
29 lipca 2009, 10:36Firma Globalfoundries, która wyłoniła się z AMD, ogłosiła zdobycie pierwszego dużego klienta. Została nim STMicroelectronics. Ten szwajcarski koncern sprzedaje układy scalone pod własną marką, ale nie posiada własnych fabryk.
Bezprzewodowe gigabity
7 maja 2009, 10:58Grupa o nazwie WiGig Alliance skupia takich gigantów jak Intel, Microsoft, Nokia czy Panasonic. Chce ona do końca bieżącego roku opracować specyfikację dla technologii krótkodystansowej bezprzewodowej łączności, w której prędkość transferu danych będzie liczona w gigabitach na sekundę.
Samsung rozpocznie produkcję układów PRAM
5 maja 2009, 10:57W czerwcu Samsung Electronics rozpocznie masową produkcję pamięci PRAM (phase change RAM). Układy PRAM to zmiennofazowe kości RAM.
28-nanometrowe kości już w przyszłym roku
16 kwietnia 2009, 11:37IBM, Samsung, ARM, STMicroelectronics, Globalfoundries i inne firmy ogłosiły, że w drugiej połowie przyszłego roku rozpoczną dostarczanie układów scalonych wykonanych w technologii 28 nanometrów.
Trzy doby na ogniwie paliwowym
10 kwietnia 2009, 10:17Samsung ogłosił powstanie wydajnego ogniwa paliwowego dla wojska. W roku 2010 żołnierze będą mogli korzystać z ogniwa DMFC o pojemności 1800 Wh.
Powstała pamięć RRAM?
10 lutego 2009, 11:55Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).
4 gigabity w jednej kości
29 stycznia 2009, 13:50Samsung Electronics jest autorem pierwszego czterogigabitowego układu DDR3 DRAM. Kość została wyprodukowana w technologii 50 nanometrów i charakteryzuje się największą gęstością upakowania danych spośród wszystkich podobnych produktów.
Dyski chronione Opalem
28 stycznia 2009, 12:40Trusted Computing Group, w skład której wchodzą m.in. Fujitsu, Hitachi GST, Seagate, Samsung, Toshiba i Western Digital, czyli najwięksi producenci dysków twardych, ogłosiła ostateczne wersje trzech specyfikacji standardu szyfrowania dysków twardych.
